概述

已采用飛兆半導體專有的PowerTrench ®技術(shù)，可提供低R DS（on）和優(yōu)化BVDSS能力提供優(yōu)越的性能優(yōu)勢，在應用這種P溝道MOSFET。

特點

最大R DS（ON）=44mΩ，在V GS = 10V，I D = 6.7A
最大R DS（ON）=64mΩ，在V GS = 4.5V，I D = 5.5A
高性能溝槽技術(shù)非常低R DS（ON）
符合RoHS標準

應用/框圖（S）

逆變器
電源供應器

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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