概述

使用飛兆半導體先進的PowerTrench過程中，已特別針對減少通態(tài)電阻producted的P溝道MOSFET。

此設備是非常適合的電源管理和負載開關應用常見于筆記本電腦和便攜式電池包。

特點

最大R DS（ON）=9.3mΩatV GS = 10V，I D = - 13A
最大R DS（ON）=14.8mΩ在V GS = 4.5V，I D = - 11A
擴展的V GS電池的應用范圍（- 25V）
6KV典型（注3）HBM ESD保護水平
高性能溝槽技術非常低R DS（ON）
高功率和電流移交能力
高功率和電流移交能力

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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