概述

這N溝道邏輯電平MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench進(jìn)程，已特別針對(duì)降低通態(tài)電阻，同時(shí)保持出色的開關(guān)性能。

這些器件非常適用于低壓和電池供電應(yīng)用的低線的功率損耗和快速開關(guān)所需。

特點(diǎn)

11 30 V
R DS（ON）= 12.5 m寬的V GS = 10V
R DS（ON）= 17.0 m寬的V GS = 4.5V
開關(guān)速度快
低柵極電荷
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術(shù)
高功率和電流處理能力

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
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