概述

這N溝道邏輯電平MOSFET是低壓和電池供電應(yīng)用的高效的解決方案。 利用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench ®過程中，該裝置具有通態(tài)電阻的最小化來優(yōu)化功耗。 他們是理想的線路功率損耗是關(guān)鍵的應(yīng)用場(chǎng)合。

特點(diǎn)

最大R DS（ON）=27mΩ，在V GS = 10V，I D = 6.1A
最大R DS（ON）=36mΩ，在V GS = 4.5V，I D = 5.3A
SuperSOT™-6包：占地面積小（72％小于標(biāo)準(zhǔn)SO - 8;低調(diào)（1mm厚）。
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

在筆記本電腦的電源管理，硬盤驅(qū)動(dòng)器

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
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