概述

這60V P溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體的高電壓的PowerTrench工藝。 它已被優(yōu)化電源管理應(yīng)用。

特點(diǎn)

-60 -15一，五
R DS（ON）= 100 m寬的V GS = 10 V
R DS（ON）= 130 m寬的V GS = -4.5 V
開關(guān)速度快
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術(shù)
高功率和電流處理能力

應(yīng)用/框圖（S）

DC / DC轉(zhuǎn)換器
電源管理
負(fù)荷開關(guān)

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
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