概述

這些雙N溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管都采用飛兆半導(dǎo)體專有的，高細(xì)胞密度，DMOS技術(shù)。 這非常高的密度過程，旨在最大限度地減少通態(tài)電阻，提供堅(jiān)固耐用，性能可靠和快速開關(guān)。 這些器件特別適合于低電壓低電流高邊開關(guān)的應(yīng)用要求。

特點(diǎn)

0.51一個(gè)，50 V的R DS（ON）= 2 W @ V GS = 10 V 。
非常低R DS（ON），高密度的單元設(shè)計(jì)。
專有SuperSOT TM -6包裝設(shè)計(jì)，使用銅引線框架優(yōu)越的熱性能和電氣功能。
高飽和電流。

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
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