概述

這N溝道MOSFET已專門設(shè)計，提高整體效率，并盡量減少使用同步或常規(guī)的開關(guān)PWM控制器的DC / DC轉(zhuǎn)換器開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴。 低柵電荷，低RDS（ON）開關(guān)速度快和體二極管反向恢復(fù)性能，進(jìn)行了優(yōu)化。

特點(diǎn)

最大R DS（ON）= 3.8MΩ在V GS = 10V，I D = 21
最大R DS（ON）= 5.0MΩ在V GS = 4.5 V時，I D = 17一個
低R DS（ON）和高效率的先進(jìn)的封裝和芯片設(shè)計
下一代增強(qiáng)機(jī)體二極管技術(shù)，軟恢復(fù)工程。 在同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用提供最低的EMI肖特基樣表現(xiàn)。
MSL1健壯的包裝設(shè)計
100％UIL的測試
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

IMVP Vcor​​e電壓開關(guān)，用于筆記本
臺式機(jī)和服務(wù)器VRM的核心電壓開關(guān)
OringFET /負(fù)荷開關(guān)
DC - DC轉(zhuǎn)換

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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