概述

此設備是專門為在蜂窩手機和其他超便攜應用的電池充電或負載開關。 它采用了低通態(tài)電阻MOSFET。

這些MicroFET 2X2封裝提供了卓越的物理尺寸的散熱性能和線性模式的應用程序非常適合。

特點

最大R DS（ON）=30mΩ時，在V GS = 4.5V，I D = 7.8A
最大R DS（ON）=37mΩ，在V GS = 2.5V，I D = 6.6A
最大R DS（ON）=50MΩ在V GS = 1.8V，I D = 5.5A
最大R DS（ON）=90mΩ，在V GS = 1.5V，I D = 2.0A
低調(diào) - 0.8毫米最大 - 在新封裝的MicroFET 2X2毫米
HBM ESD保護水平> 3KV典型（注3）
無鹵素化合物和氧化銻
符合RoHS標準

應用筆記

AN - 0953：大會的MicroFET 2X2包裝準則 “（133 K）2011年8月05，

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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