概述

這P溝道邏輯電平MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的功率溝槽的進(jìn)程，已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻和出色的開關(guān)性能保持低柵極電荷。

這些器件非常適合于便攜式電子產(chǎn)品的應(yīng)用：負(fù)荷開關(guān)和電源管理，電池充電電路，直流/直流轉(zhuǎn)換。

特點

- 2A，20V

R DS（ON）= 70MΩ@ V GS = -4.5 V

R DS（ON）= 70MΩ@ V GS = -4.5 V

低柵極電荷（典型值7.2 NC）
高性能非常低R DS（ON）的溝槽技術(shù)。
業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的SOT - 23封裝的高功率版本。 相同的引腳的SOT - 23高出30％的功率處理能力。

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
------------------------------------------------------------------------------------------
資料錄入： 潤百年@電源管理IC 
（RCC）,電子元器件全球獨立供應(yīng) 商
本條信息深圳潤百年電子有限公司所有，未經(jīng)批準(zhǔn)不得復(fù)制。