概述

這N溝道2.5V指定的MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進的PowerTrench過程中，已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，同時保持出色的開關(guān)性能低柵極電荷。 這些設(shè)備已被設(shè)計在一個非常小的的空間提供出色的功耗相比，具有更大的SO - 8和TSSOP - 8封裝。

特點

6.2一個，20訴R DS（ON）= 0.024 W @ V GS = 4.5 V，R DS（ON）= 0.032 W @ V GS = 2.5V
開關(guān)速度快。
低柵極電荷（10.5nC典型值）。
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術(shù)。
SuperSOT™-6包：體積小（比標準SO - 8小72％）;低調(diào)（1mm厚）。

應(yīng)用/框圖（S）

DC / DC轉(zhuǎn)換器
負荷開關(guān)
電池保護

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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