概述

這種P溝道1.8V指定的MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的低電壓的PowerTrench過(guò)程。 電池電源管理應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。

特點(diǎn)

-2.4，-20訴R DS（ON）= 0.052 W @ V GS = -4.5 VR的DS（ON）= 0.070 W @ V GS = -2.5 VR的DS（ON）= 0.100 W @ V GS = -1.8 V
開(kāi)關(guān)速度快
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術(shù)
SuperSOT TM -3提供低R DS（ON）和30％更高的功率比SOT23封裝，在相同的空間處理能

應(yīng)用/框圖（S）

電池管理
負(fù)荷開(kāi)關(guān)
電池保護(hù)

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢價(jià)
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