概述

這種P溝道2.5V指定的MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的低電壓的PowerTrench過程。 電池電源管理應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。

特點(diǎn)

-1.6一個(gè)，-20 V。

R DS（ON）= 115 m寬@ VGS = -4.5 V

R DS（ON）= 155 m寬@ VGS = -2.5 V
開關(guān)速度快
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術(shù)
SuperSOT™-3提供低R DS（ON）和30％更高的功率比SOT23封裝，在相同的空間處理能力

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
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