概述

這個(gè)P -通道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的功率溝槽®進(jìn)程，已優(yōu)化的R DS（ON）的開關(guān)性能和耐用性生產(chǎn)。

特點(diǎn)

最大 的R DS（ON）= 8.0MΩ在V GS = -4.5 V，I D = -12一
最大 的R DS（ON）= 9.8MΩ在V GS = -2.5 V，I D = -10一
最大 的R DS（ON）= 13MΩ在V GS = -1.8 V，I D = -9.3一個(gè)
最大 的R DS（ON）= 17MΩ在V GS = -1.5 V，I = -8.3一個(gè)
極低的R DS（ON）的高性能溝槽技術(shù)
一種廣泛使用的表面貼裝封裝的高功率和電流處理能力
100％UIL的測試
終止是無鉛和符合RoHS
HBM ESD能力水平> 2KV典型

應(yīng)用/框圖（S）

電池管理
負(fù)荷開關(guān)

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
------------------------------------------------------------------------------------------
資料錄入： 潤百年@電源管理IC 
（RCC）,電子元器件全球獨(dú)立供應(yīng) 商
本條信息深圳潤百年電子有限公司所有，未經(jīng)批準(zhǔn)不得復(fù)制。