概述

這些N和P溝道2.5V指定的MOSFET都采用飛兆半導體先進的PowerTrench過程中，已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，同時保持出色的開關性能低柵極電荷。


這些設備都被設計提供出色的功耗，在一個更​​大更昂貴的SO - 8和TSSOP - 8封裝是不切實際的應用程序非常小的足跡。

特點

N溝道2.7A，20V。 的R DS（ON）= 0.08 W @ V GS = 4.5V，R DS（ON）= 0.12 W @ V GS = 2.5V
P通道1.6A，- 20V.R DS（ON）= 0.17 W @ V GS = 4.5V，電阻R DS（ON）= 0.25 W @ V GS = 2.5V
開關速度快。
低柵極電荷。
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術。
SuperSOT™-6包：體積�。ū葮藴蔛O - 8小72％）;低調（1mm厚）。

應用/框圖（S）

DC / DC轉換器
負荷開關
馬達驅動

全新原裝進口，現 貨庫存，歡迎來電詢價
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