概述

這60V P溝道MOSFET采用飛兆半導體的高電壓的PowerTrench工藝。 它已被優(yōu)化電源管理應用。

特點

-1.25一，-60訴R DS（ON）= 0.200 W @ V GS = 10 V，R DS（ON）= 0.230 W @ V GS = -4.5 V
開關速度快
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術。

應用/框圖（S）

DC / DC轉換器
負荷開關
電源管理

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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