概述

這些雙N溝道邏輯電平增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管都采用飛兆半導(dǎo)體專有的，高細(xì)胞密度，DMOS技術(shù)。 這非常高的密度過程，尤其是量身定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻。 本裝置已設(shè)計，尤其是更換為數(shù)字雙極晶體管和小信號MOSFET的低電壓應(yīng)用。

特點

25伏，0.50一個連續(xù)的，1.5一個高峰。 R DS（ON）= 0.45 W @ V GS = 4.5 V，R DS（ON）= 0.60 W @ V GS = 2.7 V。
非常低的水平柵極驅(qū)動的要求，允許在3伏電路（VGS（TH）<1.5 V）的直接操作。
門源齊納ESD堅固性（> 6kV的人體模型）。
緊湊型的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)采用SC70 - 6表面貼裝封裝。

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
------------------------------------------------------------------------------------------
資料錄入： 潤百年@電源管理IC 
（RCC）,電子元器件全球獨立供應(yīng) 商
本條信息深圳潤百年電子有限公司所有，未經(jīng)批準(zhǔn)不得復(fù)制。