概述

這種P溝道1.8V指定的MOSFET采用飛兆半導體先進的低電壓的PowerTrench過程。 電池電源管理應用進行了優(yōu)化。

特點

-2.6 A，12 V
R DS（ON）= 40 m寬的V GS = -4.5 V
R DS（ON）= 50 m寬的V GS = -2.5 V
R DS（ON）= 80 m寬的V GS = -1.8 V
開關速度快
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術
SuperSOT™-3提供低R DS（ON）和30％更高的功率比SOT23封裝，在相同的空間處理能力

應用/框圖（S）

電池管理
負荷開關
電池保護

全新原裝進口，現 貨庫存，歡迎來電詢價
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