概述

這60V P溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體的高電壓海溝過程。 它已被優(yōu)化的電源管理plications。

特點(diǎn)

- 2.5A，- 60V
R DS（ON）=300米W @ V GS = - 10V
R DS（ON）=500米W @ V GS = 4.5V
非常低R DS（ON），高密度的單元設(shè)計(jì)
一種廣泛使用的表面貼裝封裝的高功率和電流處理能力。

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
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