概述

這N溝道2.5V指定的MOSFET采用飛兆半導體先進的PowerTrench進程，已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻和出色的開關性能保持低柵極電荷。

特點

1.7 A，20 V的R DS（ON）= 0.07 W @ V GS = 4.5 V 。
的R DS（ON）= 0.100 W @ V GS = 2.5 V
低柵極電荷（3.5nC的典型）。
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術。
高功率和電流處理能力。

應用/框圖（S）

DC / DC轉換器
負荷開關

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