概述

該P(yáng)溝道邏輯電平MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench工藝生產(chǎn)。 電池電源管理應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。

特點(diǎn)

-3.6 A，30 V
R DS（ON）= 75 m寬的V GS = 10 V
R DS（ON）= 125 m寬的V GS = -4.5 V
低柵極電荷（6.2nC的典型）
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術(shù)

應(yīng)用/框圖（S）

電池管理
負(fù)荷開關(guān)
電池保護(hù)

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
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