概述

這些P溝道1.8V指定的MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench過程中，已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，同時保持出色的開關(guān)性能低柵極電荷。

特點(diǎn)

-2.3一個，-20 V。
R DS（ON）= 115 m寬的V GS = -4.5 V
R DS（ON）= 155 m寬的V GS = -2.5 V
R DS（ON）= 225 m寬的V GS = -1.8 V
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術(shù)
SuperSOT™-6包：體積�。ū葮�(biāo)準(zhǔn)SO - 8小72％）;低調(diào)（1mm厚）

應(yīng)用/框圖（S）

電源管理
負(fù)荷開關(guān)

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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